BJT vs SCR
Både BJT (Bipolar Junction Transistor) og SCR (Silicon Controlled Rectifier) er halvlederenheder med skiftende P-type og N-type halvlederlag. De bruges i mange skifteapplikationer på grund af mange årsager, såsom effektivitet, lave omkostninger og lille størrelse. Begge er tre terminalenheder, og de giver et godt kontrolområde for strøm med en lille styrestrøm. Begge disse enheder har applikationsafhængige fordele.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT er en type transistor, og den består af to PN-kryds (en forbindelse lavet ved at forbinde en halvleder af p-type og en halvleder af n-type). Disse to overgange dannes ved at forbinde tre halvlederstykker i rækkefølgen P-N-P eller N-P-N. Der for to typer BJT'er kendt som PNP og NPN.
Tre elektroder er forbundet til disse tre halvlederdele, og den midterste ledning kaldes 'base'. Andre to kryds er 'emitter' og 'collector'.
I BJT styres stor solfanger-emitterstrøm (Ic) af den lille basis-emitterstrøm (IB), og denne egenskab er udnyttes til at designe forstærkere eller switche. Der for det kan betragtes som en aktuel drevet enhed. BJT bruges mest i forstærkerkredsløb.
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
SCR er en type tyristor, og er meget udbredt i nuværende ensretningsapplikationer. SCR er lavet af fire alternerende halvlederlag (i form af P-N-P-N) og består derfor af tre PN-junctions. I analyse betragtes dette som et tæt koblet par af BJT'er (en PNP og en anden i NPN-konfiguration). De yderste P- og N-halvlederlag kaldes henholdsvis anode og katode. Elektroden forbundet til det indre halvlederlag af P-typen er kendt som 'porten'.
I drift virker SCR ledende, når en puls leveres til porten. Den fungerer i enten "tændt" eller "slukket" tilstand. Når porten er udløst med en puls, går SCR til "on"-tilstand og fortsætter med at lede, indtil den fremadgående strøm bliver mindre end tærskelværdien kendt som "holdestrøm".
SCR er en power-enhed, og de fleste gange bruges den i applikationer, hvor høje strømme og spændinger er involveret. Den mest brugte SCR-applikation er at styre (enrette) vekselstrømme.
Kort sagt:
Forskel mellem BJT og SCR
1. BJT har kun tre lag af halvledere, mens SCR har fire lag af dem.
2. Tre terminaler af BJT er kendt som emitter, kollektor og base, hvorimod SCR har terminaler kendt som anode, katode og gate
3. SCR betragtes som tæt koblede transistorpar i analyse.
