Forskellen mellem BJT og IGBT

2024 Forfatter: Alex Aldridge | [email protected]. Sidst ændret: 2023-12-17 13:35

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer transistorer, der bruges til at styre strømme. Begge enheder har PN-forbindelser og forskellige i enhedsstruktur. Selvom begge er transistorer, har de betydelige forskelle i egenskaber.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

BJT er en type transistor, der består af to PN-junctions (en overgang lavet ved at forbinde en halvleder af p-type og en halvleder af n-type). Disse to forbindelser er dannet ved at forbinde tre halvlederstykker i rækkefølgen P-N-P eller N-P-N. Derfor er to typer BJT'er, kendt som PNP og NPN, tilgængelige.

Tre elektroder er forbundet til disse tre halvlederdele, og den midterste ledning kaldes 'base'. Andre to kryds er 'emitter' og 'collector'.

I BJT styres stor solfanger-emitter-strøm (I_c) af den lille basis-emitter-strøm (I_{B), og denne egenskab udnyttes til at designe forstærkere eller switche. Derfor kan det betragtes som en strømdrevet enhed. BJT bruges mest i forstærkerkredsløb.}

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT er en halvlederenhed med tre terminaler kendt som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor, som kan håndtere en større mængde strøm og har en højere koblingshastighed, hvilket gør den højeffektiv. IGBT er blevet introduceret på markedet i 1980'erne.

IGBT har de kombinerede funktioner fra både MOSFET og bipolar junction transistor (BJT). Den er gatedrevet som MOSFET og har strømspændingsegenskaber som BJT'er. Derfor har den fordelene ved både høj strømhåndteringsevne og nem kontrol. IGBT-moduler (består af en række enheder) håndterer kilowatt strøm.

Forskel mellem BJT og IGBT

1. BJT er en strømdrevet enhed, hvorimod IGBT drives af gatespændingen

2. Terminaler af IGBT er kendt som emitter, collector og gate, mens BJT er lavet af emitter, collector og base.

3. IGBT'er er bedre til effekthåndtering end BJT

4. IGBT kan betragtes som en kombination af BJT og en FET (Field Effect Transistor)

5. IGBT har en kompleks enhedsstruktur sammenlignet med BJT

6. BJT har en lang historie sammenlignet med IGBT